Agenci AI oparci na Claude Opus 5.5 odkrywają dwa nowe półprzewodniki dla pamięci nowej generacji

Agenci AI oparci na modelu Claude Opus 5.5 odkryli dwa nowe półprzewodniki, które mogą stanowić podstawę dla następnej generacji pamięci.

Zespół z Vals AI przedstawił wyniki, które mogą zmienić podejście do tworzenia pamięci magnetycznych.

Elektrony posiadają spin, konwencjonalnie określany jako „w górę” lub „w dół”. Spin generuje moment magnetyczny, który może przechowywać informacje. W ten sposób działają głowice odczytujące dysków twardych oraz pamięci MRAM.

Aby wykorzystać tę właściwość, elektrony muszą być możliwe do posortowania według spinu. Materiały ferromagnetyczne robią to skutecznie, ale generują silne pole zakłócające sąsiedztwo i przełączają się powoli. Antyferromagnetyki nie mają pola netto i przełączają się około tysiąca razy szybciej, jednak ich spiny są wymieszane i trudne do odczytu.

Badacze poszukują materiałów o zerowym polu magnetycznym netto, ale ze zdolnością do sortowania spinów podobną do ferromagnetyków. Materiały te nazywane są kompensowanymi przez Luttingera (LC) i mogłyby dać początek nowej generacji pamięci, która jest zarówno gęstsza, jak i szybsza.

Claude Opus 5.5 zidentyfikował dwa takie materiały:

• Pierwszy został zaprojektowany od podstaw. Według autorów związek ten nie był wcześniej syntezowany ani proponowany, choć jego synteza może być trudna.
• Drugi należy do rodziny błękitów pruskich. Został zsyntezowany już w 1999 roku, a obliczenia z 2008 roku wykazały wymagane sortowanie spinów, jednak nikt nie rozpoznał go jako półprzewodnika LC, dopóki nie zrobili tego agenci AI.

Łącznie 90 agentów pracowało nad zadaniem przez trzy dni. Eksperymenty są nadal prowadzone.